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J-GLOBAL ID：200903029800907474
電気光学結晶又は磁気光学結晶の評価方法及び装置、並びに、テラヘルツ光計測方法及び装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
四宮 通
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002179324
Publication number (International publication number)：2004020504
Application date： Jun. 20, 2002
Publication date： Jan. 22, 2004
Summary：
【課題】電気光学結晶等を適切に評価することができるようにする。【解決手段】光伝導アンテナ9に、電圧印加部13からバイアス電圧が印加されるとともにポンプパルス光が照射され、これにより、光伝導アンテナ9からテラヘルツパルス光が発生する。このテラヘルツパルス光は、評価対象の電気光学結晶17の2次元領域に照射される。偏光子22により偏光されたプローブパルス光が、結晶17の前記2次元領域に照射される。2次元CCDカメラ24は、結晶17の前記2次元領域を通過したプローブパルス光の2次元光強度分布画像を撮像する。バイアス電圧を変化させながら、各バイアス電圧においてカメラ24から画像信号をそれぞれ得る。各画素毎のバイアス電圧と画像信号との関係から、結晶17の検出効率、残留複屈折率、及び、プローブパルス光の散乱の影響の、各分布を評価する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
発生するテラヘルツパルス光の電場又は磁場の強度を変え得るテラヘルツ光発生部を用いて、前記テラヘルツ光発生部から発したテラヘルツパルス光を評価対象結晶である電気光学結晶又は磁気光学結晶に導くとともに、前記テラヘルツパルス光と同期しかつ偏光されたプローブパルス光を前記評価対象結晶に導き、
前記評価対象結晶を通過して前記テラヘルツパルス光により偏光状態が変化した前記プローブパルス光を検光し、
前記検光後の前記プローブパルス光を光電変換し、
前記テラヘルツパルス光の電場又は磁場の強度を変えることで、前記テラヘルツパルス光の電場又は磁場の強度と前記光電変換により得られる信号の強度との関係を得、
前記関係に基づいて、前記評価対象結晶の検出効率、前記評価対象結晶の残留複屈折率、及び、前記評価対象結晶における前記プローブパルス光の散乱の影響のうちの、少なくとも1つを評価することを特徴とする電気光学結晶又は磁気光学結晶の評価方法。
IPC (2)：
FI (2)：
G01M11/00 T
, G01N21/35 Z
2G059AA02
, 2G059BB20
, 2G059EE01
, 2G059EE04
, 2G059GG04
, 2G059GG08
, 2G059HH01
, 2G059JJ11
, 2G059JJ19
, 2G059KK04
, 2G059MM01
, 2G059MM09
, 2G059MM10
, 2G086EE04
