Pat

J-GLOBAL ID：200903029820111765

イオン非感応電極

Inventor： 高野瀬 叡一郎 ,  井川 義春 ,  野々山 錠治
Applicant, Patent owner： シロキ工業株式会社
Agent (1)： 井島 藤治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994283493
Publication number (International publication number)：1996145940
Application date： Nov. 17, 1994
Publication date： Jun. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】 小型化や固体化に対応でき、しかも、低コスト化も図れるイオン非感応電極を実現することを目的とする。【構成】 基板21と、基板21に形成された金属焼結膜22と、金属焼結膜22にゲート23Gが接続された電界効果トランジスタ23と、金属焼結膜22の表面を覆うイオン非感応膜24と、イオン非感応膜24が露出するように金属焼結膜22及び電界効果トランジスタ23を覆う樹脂25とから構成する。

Claim (excerpt)：

貫通穴が穿設された基板と、該基板の貫通穴を介して連通するように該基板の両面に形成された金属焼結膜と、前記基板の一方の面側に配置され、前記基板の一方の面側の前記金属焼結膜にゲートが接続された電界効果トランジスタと、前記基板の他方の面側の前記金属焼結膜の表面を覆うイオン非感応膜と、前記基板の一方の面側の前記金属焼結膜の表面及び前記電界効果トランジスタを覆う樹脂とからなることを特徴とするイオン非感応電極。

IPC (2)：

G01N 27/414 ,  G01N 27/30 311

FI (2)：

G01N 27/30 301 A ,  G01N 27/30 301 P