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J-GLOBAL ID：200903029842036120
薄膜トランジスタの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992331864
Publication number (International publication number)：1994181178
Application date： Dec. 11, 1992
Publication date： Jun. 28, 1994
Summary：
【要約】【目的】 信頼性の高い薄膜トランジスタを形成する。【構成】 基体1上に、非晶質シリコン薄膜2を低温化学的気相成長法によって形成する工程と、この非晶質シリコン薄膜2に、紫外線パルスレーザ光、一般にはエキシマレーザ光3を照射して具体的にはこの非晶質シリコンの融点近くまで加熱して結晶化し、結晶化シリコン薄膜4を形成する工程と、この結晶化シリコン薄膜4の表面を酸化してゲート絶縁層5を形成する工程とを採る。
Claim (excerpt)：
基体上に、非晶質シリコン薄膜を低温化学的気相成長法によって形成する工程と、該非晶質シリコン薄膜に、紫外線パルスレーザ光を照射して結晶化し、結晶化シリコン薄膜を形成する工程と、該結晶化シリコン薄膜表面を酸化してゲート絶縁層を形成する工程とを採ることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (5)：
H01L 21/205
, H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01L 21/336
, H01L 29/784
