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J-GLOBAL ID：200903029851644710

平板ダイヤモンド結晶、及びその形成方法

Inventor： 平林 敬二 ,  広瀬 洋一
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社 ,  広瀬 洋一
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992068680
Publication number (International publication number)：1993270977
Application date： Mar. 26, 1992
Publication date： Oct. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】 電子部品材料として有用な平板ダイヤモンド結晶を提供する。【構成】 気相合成法(燃焼法又はCVD法)により、炭素、酸素濃度、及び基体面の核発生密度を制御して結晶を形成する。得られた結晶2は、高さhと幅lの比が1:4以上で、かつ基体面1aと結晶面2aとのなす角度θは10度以下の板状である。

Claim (excerpt)：

気相合成法で基体上に形成された平板ダイヤモンド結晶であって、その基体面の上方向に沿った長さと基体面方向に沿った長さの比が1:4〜1:1000で、かつ基体面と前記結晶上面とがなす角度が0〜10度であることを特徴とする平板ダイヤモンド結晶。