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J-GLOBAL ID：200903029867645539

シリコンカーバイドのエピタキシャル成長方法

Inventor： 新井 学 ,  木村 親夫
Applicant, Patent owner： 新日本無線株式会社
Agent (1)： 長尾 常明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999115766
Publication number (International publication number)：2000302599
Application date： Apr. 23, 1999
Publication date： Oct. 31, 2000
Summary：

【要約】【課題】 低温で高速に高品質のシリコンカーバイドのエピタキシャル膜を形成すること。【解決手段】 底部にシリコンカーバイド単結晶基板2を配置したカーボン坩堝1の内部をシリコンとカーボンの溶液で満たし、その溶液に浸るように多孔質カーボン5を配置し、該溶液の温度を、シリコン溶液にカーボンが飽和溶解する約1510〜1900°Cの温度と、前記溶液中の過飽和のカーボンとシリコンからなるシリコンカーバイドが析出する約1500°Cとの間で交互に変化させることによって、基板2の上面にシリコンカーバイドのエピタキシャル膜を成長させる。

Claim (excerpt)：

カーボン坩堝の底部にシリコンカーバイド単結晶基板を配置しその上に単結晶又は多結晶のシリコンを充填した後に加熱して前記カーボン坩堝の内部にシリコン溶液を作成し、該溶液内に形成されたシリコンカーバイドを前記シリコンカーバイド単結晶基板上に液相成長させるエピタキシャル成長方法であって、前記カーボン坩堝の前記溶液に接触し又は浸るように予め多孔質カーボンを配置し、及び/又は前記カーボン坩堝の内壁に多孔質カーボンを予めコーティングしておくことを特徴とするシリコンカーバイドのエピタキシャル成長方法。

IPC (3)：

C30B 29/36 ,  C30B 9/06 ,  H01L 21/208

FI (4)：

C30B 29/36 A ,  C30B 9/06 ,  H01L 21/208 D ,  H01L 21/208 L

F-Term (31)：

4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077CG07 ,  4G077EA02 ,  4G077EB05 ,  4G077EC08 ,  4G077ED06 ,  4G077EG02 ,  4G077EG18 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA38 ,  4G077QA52 ,  4G077QA56 ,  4G077QA71 ,  5F053AA03 ,  5F053AA22 ,  5F053AA23 ,  5F053AA45 ,  5F053AA47 ,  5F053BB04 ,  5F053BB14 ,  5F053DD02 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053KK10 ,  5F053LL10 ,  5F053PP02 ,  5F053RR03 ,  5F053RR05