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J-GLOBAL ID：200903029868194085

カーボンナノチューブの製造方法、カーボンナノチューブを用いた半導体装置の製造方法、及びカーボンナノチューブの製造装置

Inventor：
水上 誠

About 水上 誠

, 
四戸 孝

About 四戸 孝

, 
西尾 譲司

About 西尾 譲司


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (8)： 三好 秀和 ,  三好 保男 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  中村 友之 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003077400
Publication number (International publication number)：2004284852
Application date： Mar. 20, 2003
Publication date： Oct. 14, 2004
Summary：
【課題】所定のバンドギャップを持つカーボンナノチューブを製造する。【解決手段】合成したカーボンナノチューブを酸化ガス含有雰囲気中で、カーボンナノチューブに波長λ1を有する第1のレーザ光を照射し、第1のレーザ光の照射により励起したカーボンナノチューブを選択的に酸化し、ガス化により消滅させる。あるいは、合成したカーボンナノチューブをフッ化ガス含有雰囲気中で、カーボンナノチューブに波長λ1を有する第1のレーザ光を照射し、第1のレーザ光の照射により励起したカーボンナノチューブを選択的にフッ化ガスと反応させ、該カーボンナノチューブの少なくとも表面にフッ化層を形成する選択的フッ化処理工程と、酸化ガス含有雰囲気中で、フッ化物が形成されなかったカーボンナノチューブを酸化し、ガス化する酸化処理工程と、ガス化されずに残ったフッ化層を有するカーボンナノチューブからフッ素成分を除去する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
カーボンナノチューブを合成する工程と、 酸化ガス含有雰囲気中で、前記カーボンナノチューブに波長λ1を有する第1のレーザ光を照射し、前記第1のレーザ光の照射により励起したカーボンナノチューブを選択的に酸化し、ガス化する選択的酸化処理工程と を有することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。
IPC (4)：
C01B31/02 ,  B82B3/00 ,  H01L29/06 ,  H01L29/786
FI (6)：
C01B31/02 101F ,  B82B3/00 ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/78 626A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 622
F-Term (34)：
4G146AA11 ,  4G146AA13 ,  4G146AA27 ,  4G146AA29 ,  4G146AD11 ,  4G146AD15 ,  4G146AD16 ,  4G146AD30 ,  4G146BA04 ,  4G146BA12 ,  4G146BB12 ,  4G146BB14 ,  4G146BB15 ,  4G146BC08 ,  4G146BC15 ,  4G146BC24 ,  4G146BC44 ,  4G146DA03 ,  5F110AA01 ,  5F110BB13 ,  5F110CC09 ,  5F110DD01 ,  5F110EE09 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG32 ,  5F110GG55 ,  5F110HK02 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110QQ14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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