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J-GLOBAL ID：200903029880857880

電極形成方法

Inventor： 和田 勝
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992127566
Publication number (International publication number)：1993326438
Application date： May. 20, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 n型の化合物半導体に対するオーミックメタルとしてAu-Ge系合金を用いて、それぞれの組成割合を安定に制御でき、特性にばらつきのない均一な接触抵抗を有する電極を再現性良く形成する。【構成】 化合物半導体上に、少なくともAuと、Ni及びGeの各層を順次積層して被着し、Au、Ni及びGeの組成割合を、Auの濃度を50〜70原子%とし、且つGeの濃度をNi濃度の1/3〜0.7原子%として形成する。

Claim (excerpt)：

化合物半導体上に、少なくともAuと、Ni及びGeの各層を順次積層して被着し、上記Au、Ni及びGeの各層の組成割合を、Auの濃度を50〜70原子%とし、且つGeの濃度をNi濃度の1/3〜0.7原子%とすることを特徴とする電極形成方法。