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J-GLOBAL ID：200903029882499948

スイッチング素子

Inventor： 中村 孝
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 稲岡 耕作 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992179722
Publication number (International publication number)：1994029590
Application date： Jul. 07, 1992
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高信頼性で応用電圧(電流)の範囲が広いスイッチング素子を提供する。【構成】 アモルファス状態において高抵抗を有し、結晶状態において低抵抗を有し、かつ電気信号により、アモルファス状態および結晶状態の2状態間の転移を可逆的に切り換え可能なカルゴゲン化合物を用いたアモルファス半導体素子40を、FET50のゲートに接続した。【効果】 アモルファス半導体素子をアモルファス状態にするか、結晶状態にするかにより、FETのゲート電圧を印加したときのソース-ドレイン間の電流の導通、非導通をスイッチングできる。

Claim (excerpt)：

チャネル領域ならびに、そのチャネル領域を挟んでソース領域およびドレイン領域が形成された半導体基板と、半導体基板上の、ソース領域およびドレイン領域を橋渡すかたちでチャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、チャネル領域上に、ゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを備え、ソース領域およびドレイン領域間の導通または非導通によりスイッチングを行う電界効果トランジスタと、第1電極と、第1電極に対して所定間隔をあけて対向して配置された第2電極と、両電極の間に充たされ、アモルファス状態において高抵抗を有し、結晶状態において低抵抗を有し、かつ電気信号により、アモルファス状態および結晶状態の2状態間の転移を可逆的に切り換え可能な半導体物質とを備えたアモルファス半導体素子とを含み、上記アモルファス半導体素子の第1電極または第2電極のいずれか一方が、電界効果トランジスタのゲート電極に接続され、第1電極または第2電極のいずれか他方が、電界効果トランジスタのスイッチング制御電極とされていることを特徴とするスイッチング素子。

IPC (2)：

H01L 49/00 ,  H01L 27/10 451