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J-GLOBAL ID：200903029893125268

半導体装置の製造方法

Inventor： 高瀬 珠生 ,  松能 正 ,  宮島 秀史
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997244020
Publication number (International publication number)：1999087502
Application date： Sep. 09, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】有機シロキサン膜(層間絶縁膜)の利点である低誘電率特性を損なわずに多層配線を形成すること。【解決手段】金属配線4上に有機シロキサン膜5、シリコン窒化膜6、無機シロキサン膜7、レジストパターン8を順次形成し、次にレジストパターン8をマスクにして無機シロキサン膜7をエッチングし、レジストパターン8のパターンを無機シロキサン膜7に転写し、次にシリコン窒化膜6を有機シロキサン膜5の保護マスクに用いて、レジストパターン8を酸素プラズマにより除去し、次に無機シロキサン膜7をマスクにしてシリコン窒化膜6、有機シロキサン膜5をエッチングし、第1の金属配線4に達する接続孔を形成し、次に無機シロキサン膜7を除去した後、接続孔を介して金属配線4に接続する金属配線10を形成する。

Claim (excerpt)：

第1の配線層が形成された下地上に前記第1の配線層を覆う第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜、第3の絶縁膜を順次形成する工程と、前記第3の絶縁膜上に、前記第1の配線層に対する接続孔に対応した開口パターンを有する第1のレジストパターンを形成する工程と、前記第2の絶縁膜を前記第1の絶縁膜に対しての耐エッチングマスクに用い、前記第1のレジストパターンをマスクにして前記第3の絶縁膜を選択的にエッチングし、前記第1のレジストパターンのパターンを前記第3の絶縁膜に転写する工程と、前記第2の絶縁膜を前記第1の絶縁膜の保護マスクに用いて、前記第1のレジストパターンを除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (2)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-172056   Applicant：日本電気株式会社