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J-GLOBAL ID：200903029895304984

結晶成長装置

Inventor： 纐纈 明伯 ,  熊谷 義直 ,  針田 幸以千 ,  竹本 菊郎 ,  矢作 理 ,  田中 正昭 ,  山根 貴好
Applicant, Patent owner： 農工大ティー・エル・オー株式会社
Agent (1)： 伊藤 充
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006072141
Publication number (International publication number)：2007250816
Application date： Mar. 16, 2006
Publication date： Sep. 27, 2007
Summary：

【課題】ヒータ寿命が長く、且つ、到達温度が高い結晶成長装置を実現する。【解決手段】結晶基板支持部10は、蓋部12と、アルミナスリーブ14と、石英管16と、を備えている。蓋部12の上には結晶基板100が載置され、上方から原料ガスが導入される。アルミナスリーブ14は、円筒状をなしており、その円筒の一方端には蓋部12が配置される。さらにこの一方端の内部には第1の平面ヒータ18aと、第2の平面ヒータ18bとが重畳して取り付けられている。第1の平面ヒータ18aと第2の平面ヒータ18bとは電気的に直列に接続されており、同じ電力の場合、電流値を小さく電圧値を大きくすることができる。電流値が小さくなるので、電源コード等を細くすることができ、さらに水銀接点等の発熱を抑制できる。さらに、平面ヒータ18を2枚で構成したので、発生する熱量をより多くすることができ、高温をより容易に実現可能である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

結晶が成長する基板結晶を加熱するヒータ手段を備えた結晶成長装置において、 前記ヒータ手段は、 第1の平面ヒータと、 前記第1の平面ヒータと平行に設けられている第2の平面ヒータと、 前記第1の平面ヒータと前記第2の平面ヒータとを電気的に接続する接続手段と、 を含み、前記第1の平面ヒータと前記第2の平面ヒータとは電気的に直列に接続されていることを特徴とする結晶成長装置。

IPC (6)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/10 ,  C23C 16/46 ,  H05B 3/14 ,  H05B 3/20 ,  H05B 3/74

FI (7)：

H01L21/205 ,  C30B25/10 ,  C23C16/46 ,  H05B3/14 F ,  H05B3/14 G ,  H05B3/20 328 ,  H05B3/74

F-Term (44)：

3K034AA05 ,  3K034AA09 ,  3K034AA21 ,  3K034AA34 ,  3K034BB06 ,  3K034BB14 ,  3K034JA10 ,  3K092PP09 ,  3K092QA05 ,  3K092QB14 ,  3K092QB16 ,  3K092QB31 ,  3K092QB43 ,  3K092QB48 ,  3K092RF03 ,  3K092RF08 ,  3K092RF22 ,  3K092VV15 ,  3K092VV21 ,  3K092VV31 ,  4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077EG16 ,  4G077TE00 ,  4G077TE03 ,  4G077TE05 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030KA22 ,  4K030KA23 ,  4K030KA47 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045BB08 ,  5F045DA52 ,  5F045EJ03 ,  5F045EK07 ,  5F045EK08 ,  5F045GB05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

• SiCコートカーボンヒータ炉及び成膜装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-122836   Applicant：鳥取大学長
• 棒状ワークの高温加熱装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-222572   Applicant：石川島播磨重工業株式会社, 信越化学工業株式会社
• 単結晶引上げ用カーボンヒータ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-095236   Applicant：東芝セラミックス株式会社
• 温度測定治具及び該治具を用いた加熱炉及び該加熱炉における炉内温度制御方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-042477   Applicant：住友電気工業株式会社
• ヒーター
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-043977   Applicant：イビデン株式会社
• 成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-217669   Applicant：国際電気株式会社
• 半導体処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-232994   Applicant：株式会社日立製作所
• 熱反応炉のシールパージ方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-012809   Applicant：エーエスエムインターナショナルエヌ.ヴェー.

Cited by examiner (3)

• セラミックスヒーター及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-302357   Applicant：日本碍子株式会社
• 特開平3-159092
  
• 基板処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-253300   Applicant：株式会社東芝