制御された劈開プロセス

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外4名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998549371
Publication number (International publication number)：2001525991
Application date： May. 11, 1998
Publication date： Dec. 11, 2001
Summary：

【要約】ドナー基体(10)から材料フィルム(12)を形成する技術である。この技術はドナー基体(10)の表面を通って、表面の下方の選択された深さ(20)へ選択された方法によりエネルギを有する粒子(22)を導入するステップを有し、粒子は選択された深さよりも上にドナー基体材料(12)を限定するため比較的高い濃度と選択された深さにおけるパターンの粒子を有する。加圧された流体のようなエネルギソースはドナー基体の選択された領域に導かれて、選択された深さ(20)で基体(10)の制御された劈開動作を開始し、劈開動作はドナー基体の残りの部分からドナー材料を分離するため拡張した劈開フロントを与える。

Claim (excerpt)：

基体から材料のフィルムを形成する処理方法において、基体の表面を通って前記表面の下方の選択された深さまで選択された方法により粒子を導入し、前記粒子は前記選択された深さの上における除去される基体材料を限定するために前記選択された深さにおいて濃度を有しており、前記基体の前記選択された深さにおいて制御された劈開動作を開始するために前記基体の選択された領域へエネルギを与え、前記基体から分離される前記材料の部分を取り除くために伝播する劈開フロントを使用して前記劈開動作が行われるステップを有する処理方法。

IPC (3)：

H01L 27/12 , H01L 21/02 , H01L 21/265

FI (3)：

H01L 27/12 B , H01L 21/02 B , H01L 21/265 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

複合部材の分離方法、分離された部材、分離装置、半導体基体の作製方法および半導体基体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-077347 Applicant：キヤノン株式会社
薄い半導体材料フィルムの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-246594 Applicant：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク
薄膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-072226 Applicant：キヤノン株式会社

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