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J-GLOBAL ID：200903029903307696
2-6族化合物半導体レーザおよびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995037945
Publication number (International publication number)：1996236866
Application date： Feb. 27, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：
【要約】【構成】n型GaAs(100)基板上に{111}面からなるV字型溝を形成後、2-6族化合物半導体層を低温で分子線エピタキシャル成長する。【効果】{111}面上に成長した2-6族化合物半導体は、n型層の場合(100)面上と同様な導電性を示すのに対し、p型層では高抵抗となるため、電流狭窄構造が一回の結晶成長により形成でき、動作電圧の低い高性能2-6族化合物半導体レーザを再現性よく、低コストで製造できる。
Claim (excerpt)：
{111}面からなるV字型溝を表面ならびに底面に有する高抵抗領域を含むことを特徴とする2-6族化合物半導体レーザ。
IPC (2)：
FI (2)：
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