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J-GLOBAL ID：200903029903423270
シヨツトキーバリア半導体装置及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中野 雅房
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992098677
Publication number (International publication number)：1993114723
Application date： Mar. 24, 1992
Publication date： May. 07, 1993
Summary：
【要約】【目的】 ショットキー電極内にオーミック接触領域を設けることにより、ショットキーバリア半導体装置の順方向電流電圧特性を大幅に改善する。【構成】 半導体基板2の上面にショットキー接触金属膜5を設け、ショットキー接触金属膜5内に小さなオーミック接触金属膜4を部分的に埋め込み、ショットキー電極6を構成する。また、半導体基板2の下面にオーミック接触金属膜3を設ける。ショットキー電極6とオーミック電極3間に逆方向電圧を印加した時は、ショットキ-電極6の下面全体が空乏層7によって覆われ、電流が遮断される。順方向電圧を印加した時は、オーミック接触金属膜4の下の空乏層7がショットキー接触金属膜5の下方へ引っ込み、オーミック接触金属膜4とオーミック電極3の間に順方向電流が流れる。
Claim (excerpt)：
オーミック接触領域及び当該オーミック接触領域と電気的に導通すべきショットキー接触領域からなるショットキー電極と、前記ショットキー電極と離隔されたオーミック電極とが、半導体基板の表面に設けられたショットキーバリア半導体装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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