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J-GLOBAL ID：200903029904535870

耐紫外線エポキシ樹脂および該エポキシ樹脂を用いて封止が行われた発光ダイオードもしくは発光ダイオード用波長変換素子

Inventor：
森田 康正

About 森田 康正


Applicant, Patent owner：
スタンレー電気株式会社

About スタンレー電気株式会社


Agent (1)： 秋元 輝雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001199252
Publication number (International publication number)：2003012896
Application date： Jun. 29, 2001
Publication date： Jan. 15, 2003
Summary：
【要約】【課題】 従来の半導体封止用樹脂では紫外線に対する耐久性が低く、容易に応変し透過率の低下を招くものであったので、紫外発光ダイオードなど半導体自身が紫外線を発するものに対しては使用不可能となる問題点を生じていた。【解決手段】 本発明により、水添ビスフェノールAグリシジルエーテルを主体とし、脂環式エポキシを5〜40重量%含有し、前記両エポキシの総量に対して0.1〜3.0重量%のリン系酸化防止剤が含有されている主剤であり、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸をメインとするフタル酸系の酸無水物の混合物であり、リン系硬化促進剤を前記酸無水物の混合物に対して0.5〜3.0重量%添加されている硬化剤であり、上記主剤と硬化剤とを100:80〜100:100の割合で混合した耐紫外線エポキシ樹脂としたことで、紫外線に対する耐久性を高め、半導体自体が紫外線を発するものであっても封止を可能として課題を解決する。
Claim (excerpt)：
水添ビスフェノールAグリシジルエーテルを主体とし、脂環式エポキシを5〜40重量%含有し、前記両エポキシの総量に対して0.1〜3.0重量%のリン系酸化防止剤が含有されている主剤であることを特徴とする耐紫外線エポキシ樹脂。
IPC (4)：
C08L 63/02 ,  C08G 59/42 ,  C08K 5/49 ,  H01L 33/00
FI (4)：
C08L 63/02 ,  C08G 59/42 ,  C08K 5/49 ,  H01L 33/00 N
F-Term (14)：
4J002CD022 ,  4J002CD051 ,  4J002EW096 ,  4J002FD056 ,  4J002GP00 ,  4J036AC08 ,  4J036AD08 ,  4J036DB15 ,  4J036DB22 ,  4J036DD07 ,  4J036FA12 ,  4J036JA07 ,  4J036JA15 ,  5F041DA44
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
  • 特開平2-034627
  • 特開平3-024116
  • 特開昭60-140884
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