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J-GLOBAL ID:200903029908392209
有機EL素子構造体
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001367255
Publication number (International publication number):2003168556
Application date: Nov. 30, 2001
Publication date: Jun. 13, 2003
Summary:
【要約】【課題】 ダークスポットなどの欠陥発生が抑制される可撓性の有機EL素子構造体を提供する。【解決手段】 可撓性基板1上に形成される複数の層は、最表面層9と可撓性基板1との間に介在する有機EL素子層と、有機EL素子層を挟む無機防湿層2,8とを備え、無機防湿層2,8は有機EL素子構造体の厚み方向の略中央部に位置する。このため、無機防湿層2,8内の歪が抑制され、ダークスポットなどの欠陥発生が抑制される。
Claim (excerpt):
可撓性基板上に複数の層を積層してなり、前記可撓性基板の底面と前記複数の層の最表面層の露出表面との間の厚み方向領域で規定される有機EL素子構造体であって、前記複数の層は、前記最表面層と前記可撓性基板との間に介在する有機EL素子層と、該有機EL素子層を挟む無機防湿層とを備え、前記無機防湿層は前記有機EL素子構造体の厚み方向の略中央部に位置することを特徴とする有機EL素子構造体。
IPC (3):
H05B 33/04
, H05B 33/02
, H05B 33/14
FI (3):
H05B 33/04
, H05B 33/02
, H05B 33/14 A
F-Term (12):
3K007AB11
, 3K007AB15
, 3K007BA07
, 3K007BB02
, 3K007BB05
, 3K007CA06
, 3K007CB01
, 3K007DB03
, 3K007EA01
, 3K007EB00
, 3K007FA01
, 3K007FA02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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エレクトロルミネッセンス素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-127206
Applicant:大日本印刷株式会社
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有機EL表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-296585
Applicant:株式会社オートネットワーク技術研究所, 住友電装株式会社, 住友電気工業株式会社
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