半導体装置におけるシリサイドプラグの形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992229487
Publication number (International publication number)：1994061178
Application date： Aug. 06, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】微細な接続孔を形成するために、開口部内に均一なシリサイドプラグを半導体装置の量産レベルで形成することを可能にする方法を提供する。【構成】半導体装置におけるシリサイドプラグの形成方法は、(イ)下層配線層24上に形成された層間絶縁層26に開口部28を形成する工程と、(ロ)開口部内にSi系材料30を堆積させる工程と、(ハ)開口部内に堆積したSi系材料と金属とが反応する温度にSi系材料を保持しながら、開口部内に堆積したSi系材料30上に金属32を堆積させ、Si系材料と金属とを反応させてシリサイドプラグ34を形成する工程、から成る。

Claim (excerpt)：

(イ)下層配線層上に形成された層間絶縁層に開口部を形成する工程と、(ロ)開口部内にSi系材料を堆積させる工程と、(ハ)開口部内に堆積したSi系材料と金属とが反応する温度に該Si系材料を保持しながら、開口部内に堆積したSi系材料上に金属を堆積させつつSi系材料と金属とを反応させて開口部内にシリサイドプラグを形成する工程、から成ることを特徴とする半導体装置におけるシリサイドプラグの形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 21/90

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭60-240124
特開昭63-198357
特開昭63-283161

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