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J-GLOBAL ID：200903029920469594

半導体装置の製造方法

Inventor： 百武 康仁 ,  橋本 陽一 ,  有馬 純一 ,  竹下 直彦
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992181197
Publication number (International publication number)：1994029243
Application date： Jul. 08, 1992
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、アスペクト比の大きいコンタクトホール16に対しても十分なカバレッジの電極配線15を形成して、半導体装置全体の信頼性を向上させることを目的とするものである。【構成】 指向性の強いクラスタイオンビーム法を行った後に、散乱性の強いスパッタリング法を行うことにより、コンタクトホール16の底部及び側壁部に十分な厚さの電極配線15を形成する。

Claim (excerpt)：

絶縁層に設けられた貫通孔内に電極配線が設けられてなるコンタクトホールを備えた半導体装置の製造方法において、上記電極配線は、クラスタイオンビーム法による成膜を行った後にスパッタリング法による成膜を行うことにより形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 14/32 ,  H01L 21/203 ,  H01L 27/108