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J-GLOBAL ID：200903029929642280

絶縁層内への開口部の形成方法

Inventor： クリステン・ブリガム ,  グレイ・ダブリュー・レイ
Applicant, Patent owner： ヒューレット・パッカード・カンパニー
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993078751
Publication number (International publication number)：1996069992
Application date： Mar. 12, 1993
Publication date： Mar. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】本発明の目的は、絶縁体層の開口部の水平方向の寸法を制御(管理)し、接点を他の方法では写真製版上の制約のために達成しえない寸法に減少し、この開口部は下の導電層へのアクセスを提供する方法を提供することである。【構成】所望の開口部寸法よりも大きな水平寸法を有する第1開口部が絶縁層内に形成される。そして第1開口部の側壁と底部にオゾン/TEOSまたは窒化ケイソのようなコンフォーマル層が形成される。そしてそのコンフォーマル層は異方性エッチされる。この異方性エッチは底部からコンフォーマル層を除去し、また側壁上にはある量のコンフォーマル層を残し、水平寸法を減らし、所望の開口部寸法とする。オゾン/TEOSを用いる場合、コンフォーマル層は390 °Cのような比較的低温度で形成できる。

Claim (excerpt)：

導電性下層の上に上表面を有する絶縁層を与えること、前記絶縁層の中に、側壁と底部とを有し、所望の直径Dよりも大きな直径D′′の第1開口部を形成すること、前記側壁上に約(D′′ーD′)/2の厚さ、前記底部上に深さd′の所に上面を有するようにコンフォーマル層を形成すること、前記コンフォーマル層のー部分を異方性エッチング除去すること、を含む絶縁層内への開口部の形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/302 M ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/90 A