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J-GLOBAL ID：200903029936058535

窒素を使用して優先配向された白金薄膜を形成する方法と、その形成方法により製造された装置

Inventor： 朴東衍 ,  李東洙 ,  禹賢廷 ,  全東一 ,  尹義▲俊▼
Applicant, Patent owner： 東洋セメント株式会社
Agent (1)： 青木 輝夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998031940
Publication number (International publication number)：2000208723
Application date： Jan. 07, 1998
Publication date： Jul. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 白金薄膜の優先配向性を調整するのは難しい。【解決手段】 この白金薄膜蒸着方法によれば、基板300上に(111)、(200)、(220)方向に優先配向された白金薄膜を形成するにおいて、不活性ガス(Ar、Ne、Kr、Xe)に窒素ガスが含まれた雰囲気、基板温度を常温〜500°Cで白金薄膜を蒸着して窒素成分が含まれた白金薄膜304、306を形成し、これを熱処理して窒素成分が除去されて白金薄膜308を形成し、電気導電度が優れるし(非抵抗15μΩ-cm以下)、付着力が優れ、ヒルロック又は気孔のような欠陥が無い。

Claim (excerpt)：

高集積DRAM及び非揮発性メモリ( FRAM) 素子のためにシリコン基板上に白金薄膜を形成する方法において、シリコン基板を提供し、このシリコン基板を一定の温度まで加熱する工程と、不活性ガスと窒素ガスとが混合された雰囲気下で、シリコン基板上に白金薄膜を蒸着して窒素成分が含まれた白金薄膜を形成する工程と、この窒素成分が含まれた白金薄膜を熱処理して、この白金薄膜から窒素を除去する工程とを含み、前記シリコン基板上の白金薄膜は、全体蒸着雰囲気ガスに対する窒素ガスの分圧比、蒸着工程時の基板温度及び上記熱処理温度の内、少なくとも一つ以上の条件を調整することにより、(111)、(200)及び/又は(220)の優先配向性を有することを特徴とする白金薄膜形成方法。

IPC (4)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 27/10 651

F-Term (25)：

4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA04 ,  4M104BB06 ,  4M104CC05 ,  4M104DD35 ,  4M104DD37 ,  4M104DD40 ,  4M104DD43 ,  4M104DD52 ,  4M104DD78 ,  4M104DD79 ,  4M104EE02 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG16 ,  5F083AD22 ,  5F083AD48 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33