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J-GLOBAL ID：200903029943743537
半導体加速度センサ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
伊丹 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992105473
Publication number (International publication number)：1993281248
Application date： Mar. 31, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：
【要約】【目的】コストの低減と小型化を図った半導体加速度センサを提供することを目的とする。【構成】シリコン基板に形成された感歪ゲージ抵抗を組合わせて構成された感歪抵抗ブリッジを有する半導体加速度センサにおいて、基板上に感歪ゲージ抵抗Rz1〜Rz4のなかのRz3,Rz4の電源接続端子側につながる補償用抵抗r1 ,r2,r3 ,r4 が感歪ゲージ抵抗と同時に形成され、組立て時に必要な補償用抵抗を選んでボンディングワイヤ51により接続してブリッジを構成することにより、感歪抵抗ブリッジの零点オフセット補償が行われるようにした。
Claim (excerpt)：
半導体基板に形成された感歪ゲージ抵抗を組合わせて構成された感歪抵抗ブリッジを有する半導体加速度センサにおいて、前記半導体基板上に前記感歪ゲージ抵抗の電源接続端子側につながる補償用抵抗が形成され、組立て時に必要な補償用抵抗を選んでブリッジを構成することにより、感歪抵抗ブリッジの零点オフセット補償が行われていることを特徴とする半導体加速度センサ。
Patent cited by the Patent：
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