Pat

J-GLOBAL ID：200903029946082035

高分子電気デバイス

Inventor： 岸本 良雄 ,  鈴木 正明
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993074606
Publication number (International publication number)：1994291304
Application date： Mar. 31, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 電気部品分野における超薄膜素子、トンネル薄膜素子、高圧部品などの高分子材料を用いた高分子電気デバイスにおいて、劣化に対して耐久性の高い自己修復性電気絶縁性高分子層を有する高分子電気デバイスを提供する。【構成】 導電体に接して自己修復性電気絶縁性高分子層を形成した高分子電気デバイスより構成され、導電体の電界により自己修復性電気絶縁性高分子層が化学反応し、使用時間とともに生ずる前記導電体近傍の電気絶縁性の劣化を自己修復する。自己修復性電気絶縁性高分子としては、(1)ポリシランなどの珪素-珪素共有結合を主鎖にもつ高分子、または(2)イオン性重合触媒または電解重合性前駆体を微量含む炭素-炭素共有結合を主鎖にもつ電気絶縁性高分子が用いられる。

Claim (excerpt)：

導電体に接して電気絶縁性高分子層を形成した高分子デバイスであって、前記電気絶縁性高分子層が、前記導電体の電界により化学反応し、使用時間とともに生ずる前記導電体近傍の電気絶縁性の劣化を修復し前記電気絶縁性を保持する自己修復性電気絶縁性高分子層であることを特徴とする高分子電気デバイス。

IPC (4)：

H01L 29/28 ,  H01G 4/24 321 ,  H01L 31/04 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01L 31/04 L ,  H01L 31/04 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭58-049717
  
• 特開昭63-099551