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J-GLOBAL ID:200903029946311930
ポジ型電着フォトレジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小田島 平吉 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993125500
Publication number (International publication number):1994313135
Application date: Apr. 27, 1993
Publication date: Nov. 08, 1994
Summary:
【要約】【目的】 高解像度で、微細画像パターン形成能に優れたポジ型電着フォトレジスト組成物及びそれを用いたパターンの製造方法を提供する。【構成】 A)重合体1kgあたり、カルボキシル基を0.5〜10当量、及びヒドロキシフェニル基を1.0当量以上含有する重合体を100重量部、B)一分子中に少なくとも2個以上のビニルエーテル基を含有する化合物を5〜150重量部、及びC)活性エネルギー線照射により酸を発生する化合物をA)とB)との合計量100重量部に対して0.1〜40重量部を必須成分として含む組成物を塩基性化合物で中和し、水中に溶解又は分散したことを特徴とするポジ型電着フォトレジスト組成物及びそれを用いたレジストパターンの製造方法。
Claim (excerpt):
A)重合体1kgあたり、カルボキシル基を0.5〜10当量、及びヒドロキシフェニル基を、1.0当量以上含有する重合体を100重量部、B)一分子中に少なくとも2個以上のビニルエーテル基を含有する化合物を5〜150重量部、及びC)活性エネルギー線照射により酸を発生する化合物をA)とB)との合計量100重量部に対して0.1〜40重量部を必須成分として含む組成物を塩基性化合物で中和し、水中に溶解又は分散したことを特徴とするポジ型電着フォトレジスト組成物。
IPC (8):
C09D 5/44 PRL
, C09D 5/44 PRG
, C09D 5/44 PRN
, C09D201/08 PDG
, G03F 7/038
, G03F 7/039 501
, H05K 3/00
, H05K 3/42
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