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J-GLOBAL ID：200903029946609025

半導体製造装置および半導体製造方法

Inventor： 神野 健
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 竹中 岑生 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001207162
Publication number (International publication number)：2003022992
Application date： Jul. 09, 2001
Publication date： Jan. 24, 2003
Summary：

【要約】【課題】 加工前の膜厚分布に応じて化学機械研磨法による適切な加工を行えるようにする。【解決手段】 ウエハ2より小さいパッド1で、ウエハ2全面についてウエハ2とパッド1との相対的移動によるスキャン動作を行うことにより、化学機械研磨法による加工を行う半導体製造装置において、ウエハ2における加工前の膜厚分布から、ウエハ2各点での必要な研磨量を補正して算出し、算出された補正研磨量に応じてパッド1によるウエハ2の加工を行う加工制御部5および加工条件設定部6を設けた。

Claim (excerpt)：

ウエハより小さいパッドで、ウエハ全面について前記ウエハとパッドとの相対的移動によるスキャン動作を行うことにより、化学機械研磨法による加工を行う半導体製造装置において、ウエハにおける加工前の膜厚分布から、ウエハ各点での必要な研磨量を補正して算出し、算出された補正研磨量に応じて前記パッドによるウエハの加工を行う加工制御手段を設けたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (4)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  B24B 37/04

FI (4)：

H01L 21/304 622 R ,  H01L 21/304 622 F ,  B24B 37/00 C ,  B24B 37/04 D

F-Term (5)：

3C058AA09 ,  3C058AB01 ,  3C058BA07 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17