Pat

J-GLOBAL ID：200903029950653853

炭化珪素半導体装置の製造方法

Inventor： 小島 淳 ,  山本 剛
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (1)： 伊藤 洋二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998072365
Publication number (International publication number)：1999274481
Application date： Mar. 20, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】 不純物の活性化のための熱処理によっても、チャネル領域に大きな凹凸が形成されないようにし、チャネル領域の高移動度化を図る。【解決手段】 n- 型炭化珪素エピ層2の表層部の所定領域に、p型不純物をイオン注入する。そして、炭化珪素雰囲気下で熱処理を行って、p型不純物を活性化させて所定深さを有するp- 型炭化珪素ベース領域3a、3bを形成する。このように、p- 型炭化珪素ベース領域3a、3bを形成するためにイオン注入したp型不純物の活性化の熱処理を炭化珪素雰囲気下で行うことにより、n- 型炭化珪素エピ層2の表面から炭化珪素が昇華(気化)して消失してしまうだけでなく、該表面に炭化珪素が昇華(結晶成長)して供給されるため、n- 型炭化珪素エピ層2に大きな凹凸が形成されないようにできる。このため、このn- 型炭化珪素エピ層2の表面に形成される表面チャネル層5を良好なものにできる。

Claim (excerpt)：

炭化珪素からなる第1導電型の半導体基板(1)の主表面上に、この半導体基板よりも高抵抗な炭化珪素よりなる第1導電型の半導体層(2)を形成する工程と、前記半導体層の表層部の所定領域に、第2導電型不純物をイオン注入する工程と、炭化珪素雰囲気下で熱処理を行い、前記第2導電型不純物を活性化させて所定深さを有する第2導電型のベース領域(3a、3b)を形成する工程と、前記半導体層及び前記ベース領域の上部にチャネル領域となる表面チャネル層(5)をエピタキシャル成長させる工程と、前記ベース領域の表層部の所定領域に、前記表面チャネル層に接すると共に該ベース領域よりも浅い第1導電型のソース領域(4a、4b)を形成する工程と、前記表面チャネル層の上部にゲート電極(8)を形成すると共に、前記ベース領域に接するソース電極(10)を形成する工程と、を含んでいることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/336

FI (5)：

H01L 29/78 652 T ,  H01L 21/28 301 F ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 21/265 602 A ,  H01L 29/78 658 Z