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J-GLOBAL ID：200903029957790252

高速トレンチ二重拡散金属酸化膜半導体

Inventor： フシエフ、フュー-イウアン ,  ソー、クーン、チョング
Applicant, Patent owner： ゼネラル セミコンダクター,インク.
Agent (3)： 小池 晃 ,  田村 榮一 ,  伊賀 誠司
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001564398
Publication number (International publication number)：2004504711
Application date： Feb. 15, 2001
Publication date： Feb. 12, 2004
Summary：

ポリサイド及び高融点金属技術を用いて、ゲート抵抗値が低く、ゲート容量が小さく、分散RCゲート伝搬遅延が小さく、高周波用途に対するスイッチング速度が速められたトレンチDMOS及びその製造方法を提供する。

Claim (excerpt)：

トレンチ二重拡散金属酸化膜半導体の製造方法において、 第1の伝導性タイプを有する基板と、第2の伝導性タイプを有するボディ領域と、該ボディ領域及び基板に形成されたトレンチとを有する構造体を提供する工程と、 上記トレンチにゲート酸化層を蒸着する工程と、 上記トレンチに、ポリサイド又は高融点金属を材料とする少なくとも1つの層を備えるゲートを形成する工程と、 上記ボディ領域にソースを形成する工程とを有し、 上記ソース領域は、上記ゲート酸化層が蒸着された後に形成されるトレンチ二重拡散金属酸化膜半導体の製造方法。

IPC (2)：

H01L29/78 ,  H01L21/336

FI (5)：

H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652B ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-215025   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-169125   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置およびその製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-143349   Applicant：ローム株式会社
• 特開昭61-190981
  
• 絶縁ゲイト型電界効果半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-082654   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平4-017371
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-224550   Applicant：日本電信電話株式会社