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J-GLOBAL ID：200903029960845505

光電変換素子

Inventor： 高田 和典 ,  岩本 和也 ,  近藤 繁雄
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995308704
Publication number (International publication number)：1997148595
Application date： Nov. 28, 1995
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：

【要約】【課題】 p型化合物半導体と集電体との接合面を改善し、変換効率の高い光電変換素子を得ることを目的とする。【解決手段】 p型化合物半導体と集電体との間にシェブレル相化合物層を接合した構成であり、p型化合物半導体と集電体との接合面を改善することができる。

Claim (excerpt)：

少なくともp型化合物半導体と集電体層を有する構成の光電変換素子において、p型化合物半導体と集電体層の間にシェブレル相化合物が接合された構造であることを特徴とする光電変換素子。