金属窒化物を乾式エッチングする方法及びシステム

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008074097
Publication number (International publication number)：2008244479
Application date： Mar. 21, 2008
Publication date： Oct. 09, 2008
Summary：

【課題】チタン窒化物等の金属窒化物をエッチングする方法及びシステムについて開示している。【解決手段】そのエッチングの処理は、Cl2、HBr又はBCl2等のハロゲン含有ガス、及び化学式CxHyFzを有するフルオロカーボンガスであって、x及びzは1に等しいか又は1より大きく、yは0に等しいか又は0より大きい、フルオロカーボンガスを有する処理成分を導入する段階を有する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

基板において金属含有層をエッチングする方法であって: プラズマ処理システムにおいて金属窒化物層を有する前記基板を備える段階; 前記基板の温度を約30°C以上高くする段階; 前記プラズマ処理システムにハロゲン含有ガス及びフルオロカーボンガスを有する処理成分を導入する段階であって、前記フルオロカーボンガスは化学式CxHyFzを有し、ここで、x及びzは1に等しいか又は1より大きく、yは0に等しいか又は0より大きい、段階; 前記プラズマ処理システムにおいて前記処理成分からプラズマを生成する段階;並びに前記金属窒化物層をエッチングするように前記プラズマに前記基板を晒す段階; を有する方法。

IPC (4)：

H01L 21/306 , H01L 21/28 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (4)：

H01L21/302 105A , H01L21/28 E , H01L21/28 301R , H01L29/58 G

F-Term (36)：

4M104BB01 , 4M104BB13 , 4M104BB29 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB36 , 4M104DD65 , 4M104DD72 , 4M104DD79 , 5F004AA02 , 5F004AA05 , 5F004AA06 , 5F004BB11 , 5F004BB22 , 5F004CA02 , 5F004CA04 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DA15 , 5F004DA16 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DA28 , 5F004DA30 , 5F004DB00 , 5F004DB02 , 5F004DB12 , 5F004DB13 , 5F004EA03 , 5F004EA06 , 5F004EA22 , 5F004EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体ウェーハをエッチングするための方法と装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平9-529598 Applicant：ラムリサーチコーポレイション
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-007011 Applicant：セイコーエプソン株式会社, アプライドマテリアルズジャパン株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-325094 Applicant：ソニー株式会社, 富士通株式会社

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