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J-GLOBAL ID:200903029975012275
ゲート絶縁膜の形成方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
志賀 正武 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991179994
Publication number (International publication number):1993074763
Application date: Jul. 19, 1991
Publication date: Mar. 26, 1993
Summary:
【要約】【目的】 段差部分の被覆性に優れ、低温処理可能なゲ-ト絶縁膜形成方法を提供する。【構成】 反応ガスとして有機シラン材料を用い、プラズマCVD法によりゲート絶縁膜を成膜する。
Claim (excerpt):
反応ガスとして有機シラン材料を用い、プラズマCVD法により成膜することを特徴とするゲート絶縁膜の形成方法。
IPC (3):
H01L 21/316
, C23C 16/50
, H01L 29/784
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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