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J-GLOBAL ID：200903029975012275
ゲート絶縁膜の形成方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991179994
Publication number (International publication number)：1993074763
Application date： Jul. 19, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】 段差部分の被覆性に優れ、低温処理可能なゲ-ト絶縁膜形成方法を提供する。【構成】 反応ガスとして有機シラン材料を用い、プラズマCVD法によりゲート絶縁膜を成膜する。
Claim (excerpt)：
反応ガスとして有機シラン材料を用い、プラズマCVD法により成膜することを特徴とするゲート絶縁膜の形成方法。
IPC (3)：
H01L 21/316
, C23C 16/50
, H01L 29/784
Cited by examiner (6)
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