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J-GLOBAL ID：200903029979202478

チオフェン化合物及び導電性高分子

Inventor： 田中 進 ,  粂井 正美 ,  豊玉 英樹
Applicant, Patent owner： 工業技術院長 ,  スタンレー電気株式会社
Agent (2)： 高橋 敬四郎 (外1名) ,  高橋 敬四郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995012766
Publication number (International publication number)：1996198871
Application date： Jan. 30, 1995
Publication date： Aug. 06, 1996
Summary：

【要約】【目的】 チオフェン化合物を用いて成膜性及びドーピング特性の優れた導電性高分子材料及びその製造技術を提供する【構成】 3〜6個のチオフェンが2位及び5位の位置で直鎖状に結合した2つのチオフェン誘導体が、両端以外のチオフェンの3位の位置で相互に結合して架橋されている。

Claim (excerpt)：

一般式【化1】で表されるチオフェン化合物。

IPC (3)：

C07D333/04 ,  C08G 61/12 NLJ ,  H01B 1/12