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J-GLOBAL ID：200903029979625484

結晶成長方法および結晶成長用装置

Inventor： 三城 明
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996186594
Publication number (International publication number)：1998007498
Application date： Jun. 26, 1996
Publication date： Jan. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】 蛋白質等の生体高分子の結晶化を促進できる方法を提供する。【解決手段】 蛋白質等の生体高分子を含む緩衝溶液126の環境に応じて表面部分の正孔または電子の濃度を制御できるよう価電子が制御されたシリコン結晶120および130を溶液126に接触させる。溶液126は、スペーサ125を介して重ねられたシリコン結晶120と130のわずかな隙間の間に保持される。それぞれのシリコン結晶には、サイズの異なる複数の溝または孔が形成されており、溝または孔の外よりも中で生体高分子の結晶化が促進されるよう、価電子が制御されている。溶液126と接触する溝または孔において、生体高分子の結晶が成長する。

Claim (excerpt)：

溶液中に含まれる高分子化合物の結晶を成長させる方法であって、前記高分子化合物を含む溶液の環境に応じて表面部分の正孔または電子の濃度を制御できるよう価電子が制御され、かつ深さおよび/または開口部の幅が異なる2つ以上の溝または孔を有する固体素子を複数与える工程と、前記複数の前記固体素子の前記溝または孔が形成された面同士を向かい合わせにし、所定の隙間を開けて前記複数の固体素子を保持する工程と、前記隙間に前記高分子化合物を含む溶液を保持させて、前記溝または孔の形成された前記複数の固体素子の表面に前記溶液を接触させる工程とを備え、前記固体素子において、前記溝または孔の外よりも内で前記高分子化合物の結晶化が促進されるよう前記価電子が制御されており、前記溶液を保持する前記溝または孔において、前記制御された価電子により前記固体素子の表面にもたらされる電気的状態の下、前記高分子化合物の結晶を成長させることを特徴とする、結晶成長方法。

IPC (11)：

C30B 29/58 ,  B01D 9/02 601 ,  B01D 9/02 602 ,  B01D 9/02 604 ,  B01D 9/02 605 ,  B01D 9/02 620 ,  B01D 9/02 621 ,  B01D 9/02 625 ,  B01D 9/02 ,  C30B 7/00 ,  C30B 30/02

FI (11)：

C30B 29/58 ,  B01D 9/02 601 L ,  B01D 9/02 602 Z ,  B01D 9/02 604 ,  B01D 9/02 605 ,  B01D 9/02 620 ,  B01D 9/02 621 ,  B01D 9/02 625 E ,  B01D 9/02 625 Z ,  C30B 7/00 ,  C30B 30/02