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J-GLOBAL ID：200903029980650409

プラズマ処理装置およびインピーダンス測定具

Inventor： 仲野 陽 ,  福田 航一 ,  金 聖哲 ,  笠間 泰彦 ,  大見 忠弘 ,  小野 昭一
Applicant, Patent owner： 株式会社フロンテック ,  アルプス電気株式会社 ,  大見 忠弘
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998340806
Publication number (International publication number)：1999251094
Application date： Nov. 30, 1998
Publication date： Sep. 17, 1999
Summary：

【要約】【課題】 サセプタインピーダンスが小さくかつ周波数依存性が少なく、また、電力消費効率が高く、成膜速度が従来より速くかつ、より良質の膜の形成が可能なプラズマ装置を提供すること。【解決手段】 チャンバ壁10と、チャンバと直流的に同電位である電極のシールド12との間を金属プレート80a,80bにより交流的に短絡していることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

チャンバ壁と、チャンバと直流的に同電位である電極との間を交流的に短絡していることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (4)：

H05H 1/46 M ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-247878
  
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-145785   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
• 電子デバイス製造装置及び電子デバイス製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-305359   Applicant：シャープ株式会社