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J-GLOBAL ID:200903029984503095

導電性高分子材料の表面処理方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 吉田 俊夫 (外1名) ,  吉田 俊夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998286061
Publication number (International publication number):2000095885
Application date: Sep. 22, 1998
Publication date: Apr. 04, 2000
Summary:
【要約】【課題】 微細構造密度が高くしかもその先端部直径が小さい微細構造を形成し得る導電性高分子材料の表面処理方法を提供する。【解決手段】 導電性微粒子を含有する高分子材料にパルス幅500ps以下のレーザー光を照射し、高分子材料表面に電子放出特性にすぐれた導電性微細構造を形成させる。
Claim (excerpt):
導電性微粒子を含有する高分子材料にパルス幅500ps以下のレーザー光を照射し、高分子材料表面に電子放出特性にすぐれた導電性微細構造を形成させることを特徴とする導電性高分子材料の表面処理方法。
F-Term (7):
4F073AA04 ,  4F073BA04 ,  4F073BA49 ,  4F073BB01 ,  4F073CA42 ,  4F073CA69 ,  4F073HA11
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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