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J-GLOBAL ID：200903030000975020

シリコン酸化膜のドライエツチング方法

Inventor： 西尾 幹夫 ,  久保田 正文
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991305187
Publication number (International publication number)：1993144779
Application date： Nov. 21, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 反応生成物の堆積膜がチャンバー内壁などに堆積し、異物発生の原因になっているという欠点を排除するシリコン酸化膜のドライエッチング方法を提供する。【構成】 少なくとも、通常シリコン酸化膜のドライエッチングで用いられるC,F系ガスまたはC,F,H系ガスと、F以外のハロゲンを含むガスの混合ガスを用いて、プラズマを生成してシリコン酸化膜を所望量までエッチングする工程と、前記C,F系ガスまたはC,F,H系ガスのみを用いて残りのシリコン酸化膜をエッチングする工程よりなり、デポ膜の膜質を改善することで、エッチング中に発生する異物を低減する。【効果】 シリコン酸化膜のドライエッチングにおいて、エッチング時に基板に付着する異物を低減できるため、本方法を用いてシリコン酸化膜をエッチングすることで、製造する半導体装置の歩留り向上が可能となる。

Claim (excerpt)：

少なくとも、通常シリコン酸化膜のドライエッチングで用いられるC,F系ガスまたはC,F,H系ガスと、F以外のハロゲンを含むガスの混合ガスを用いて、プラズマを生成してシリコン酸化膜を所望量までエッチングする工程と、前記C,F系ガスまたはC,F,H系ガスを用いて残りのシリコン酸化膜をエッチングする工程を備えてなるシリコン酸化膜のドライエッチング方法。