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J-GLOBAL ID：200903030005222321
半導体記憶装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993231280
Publication number (International publication number)：1995086527
Application date： Sep. 17, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：
【要約】【目的】従来の半導体記憶装置に僅かの変更を加えるだけで、記憶容量を大きくできる不揮発性の半導体記憶装置を提供すること。【構成】1トランジスタ/1キャパシタ型のメモリセルにおいて、キャパシタ誘電体膜として、チタン酸バリウム膜9とPZT膜10との積層膜を用いたことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
電荷を蓄積するキャパシタと、このキャパシタに接続されたスイッチング素子としてのトランジスタとを具備してなり、前記キャパシタのキャパシタ誘電体膜は、抗電界値が異なる複数の自発分極を有する誘電体材料からなることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (8)：
H01L 27/10 451
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/8242
, H01L 27/108
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/04 C
, H01L 27/10 325 J
, H01L 29/78 371
