半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004034940
Publication number (International publication number)：2005228868
Application date： Feb. 12, 2004
Publication date： Aug. 25, 2005
Summary：

【課題】フルシリサイドゲートと、部分的にシリサイド化されたシリサイド付きゲートの材料特性を利用し、電界効果トランジスタの用途に応じてゲート電極を作り分けて、しきい値制御や信頼性の向上を図ることができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板1にゲート絶縁膜4を介して形成されたゲート電極FG,SGと、ゲート電極FG,SGを挟んで半導体基板1に形成されたソース領域9およびドレイン領域9とを有し、ゲート電極FG,SG下にチャネルが形成される電界効果トランジスタTr1,Tr2を集積した半導体装置であって、電界効果トランジスタTr1,Tr2のゲート電極FG,SGが、フルシリサイドゲートFGと、部分的にシリサイド化されたシリサイド付きゲートSGとに選択的に分けて形成されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を挟んで前記半導体基板に形成されたソース領域およびドレイン領域とを有し、前記ゲート電極下にチャネルが形成される電界効果トランジスタを集積した半導体装置であって、前記電界効果トランジスタの前記ゲート電極が、フルシリサイドゲートと、部分的にシリサイド化されたシリサイド付きゲートとに選択的に分けて形成された半導体装置。

IPC (10)：

H01L21/8234 , H01L21/28 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786

FI (11)：

H01L27/08 102C , H01L21/28 301S , H01L27/06 102A , H01L27/08 102A , H01L27/08 102D , H01L29/78 613Z , H01L29/78 617M , H01L29/78 617L , H01L27/04 P , H01L29/58 G , H01L29/78 301G

F-Term (144)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB22 , 4M104BB25 , 4M104BB28 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD78 , 4M104DD84 , 4M104EE09 , 4M104EE15 , 4M104EE17 , 4M104FF14 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F038AR08 , 5F038AR09 , 5F038AR16 , 5F038AR23 , 5F038AR26 , 5F038AV06 , 5F038EZ06 , 5F038EZ20 , 5F048AA01 , 5F048AA05 , 5F048AA07 , 5F048AA08 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB03 , 5F048BB04 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB15 , 5F048BB16 , 5F048BC05 , 5F048BC06 , 5F048BD04 , 5F048BD10 , 5F048BE03 , 5F048BF01 , 5F048BF02 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA30 , 5F110AA04 , 5F110AA08 , 5F110AA09 , 5F110AA14 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE05 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE32 , 5F110EE33 , 5F110EE41 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF23 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG28 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK05 , 5F110HK33 , 5F110HK40 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL12 , 5F110HL14 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110HM15 , 5F110HM17 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN25 , 5F110NN35 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110NN71 , 5F110NN78 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F140AA00 , 5F140AA01 , 5F140AA05 , 5F140AA06 , 5F140AA21 , 5F140AA22 , 5F140AB01 , 5F140AB03 , 5F140AC01 , 5F140AC02 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF08 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF40 , 5F140BF51 , 5F140BG10 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BH50 , 5F140CA10 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CB10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

MIS型半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-052683 Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (7)

特開昭59-125650
特開昭60-066854
CMOSトランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-349278 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

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