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J-GLOBAL ID：200903030052806439

コンプライアント基板を有する半導体構造物

Inventor： ラムダーニ、ジャマール ,  ヒルト、リンディ エル. ,  デムコフ、アレクサンダー エイ.
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 桑垣 衛
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002547210
Publication number (International publication number)：2004515074
Application date： Oct. 18, 2001
Publication date： May. 20, 2004
Summary：

単結晶層を形成するためのコンプライアント基板を形成することによって、単結晶材料の高品質エピタキシャル層が、大口径シリコンウェハなどの単結晶基板の上部に形成される。コンプライアント基板を形成する一方法においては、先ずシリコンウェハ(22)に順応バッファ層(24)が形成される。この順応バッファ層は、酸化シリコンの非晶質界面層(28)によってシリコンウェハから離間された単結晶酸化物層からなる。非晶質界面層はたわみを消散させて、高品質単結晶酸化物の順応バッファ層が成長できるようにする。順応バッファ層の格子は、下地シリコンウェハの格子と上部の単結晶材料層(26)の格子との双方に整合している。順応バッファ層の格子と下地シリコン基板の格子との不整合は、非晶質界面層によって解消される。さらに、また、コンプライアント基板の形成の際に、サーファクタントを利用したエピタキシーの使用、単結晶酸化物への単結晶シリコンのエピタキシャル成長、及びジントル相物質のエピタキシャル成長が行なわれることがある。

Claim (excerpt)：

単結晶基板と、 前記基板上に形成されたバッファ層と、 前記バッファ層上に形成されたテンプレートと、 前記テンプレートを覆って形成された単結晶材料層とからなる半導体構造物。

IPC (2)：

H01L21/20 ,  H01L21/205

FI (2)：

H01L21/20 ,  H01L21/205

F-Term (20)：

5F045AB10 ,  5F045AB14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F052DA04 ,  5F052DA05 ,  5F052DA06 ,  5F052DB01 ,  5F052DB06 ,  5F052DB10 ,  5F052GC03 ,  5F052GC04 ,  5F052HA01 ,  5F052JA01 ,  5F052JA04 ,  5F052JA07 ,  5F052KA01 ,  5F052KA02