Pat

J-GLOBAL ID：200903030058725597

絶縁材料及びその製造方法、フッ素化フラーレン含有膜の製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法

Inventor： 阿多 誠文 ,  加藤 俊夫
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社 ,  株式会社半導体プロセス研究所
Agent (1)： 逢坂 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997292208
Publication number (International publication number)：1999126774
Application date： Oct. 24, 1997
Publication date： May. 11, 1999
Summary：

【要約】【課題】 比誘電率の小さな絶縁材料及びその製造方法、並びにフッ素化フラーレン含有膜の製造方法を提供すること、及び処理速度の高速化が可能な半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 Cn (但し、nは幾何学的に球状化合物を形成し得る整数である。)で表されるフラーレン分子又はその重合体に、フッ素原子が結合してなるフッ素化フラーレンからなる絶縁材料及びその製造方法、並びにフッ素化フラーレン含有膜の製造方法。フラーレン分子又はその重合体に、フッ素原子が結合してなるフッ素化フラーレンからなる絶縁材料、又はこのフッ素化フラーレンを表面領域に有するフラーレン膜が用いられている半導体装置及びその製造方法。

Claim (excerpt)：

Cn (但し、nは幾何学的に球状化合物を形成し得る整数である。)で表されるフラーレン分子又はその重合体に、フッ素原子が結合してなるフッ素化フラーレンからなる絶縁材料。

IPC (3)：

H01L 21/314 ,  C01B 31/02 101 ,  H01B 3/00

FI (3)：

H01L 21/314 A ,  C01B 31/02 101 Z ,  H01B 3/00 Z