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J-GLOBAL ID：200903030066346791

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 大見 忠弘 ,  山田 圭一
Applicant, Patent owner： 大見 忠弘
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993290786
Publication number (International publication number)：1995122519
Application date： Nov. 19, 1993
Publication date： May. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、電極と半導体とのコンタクト抵抗を低減し、また微細で、極浅・極薄層の半導体と電極との接触構造を形成することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体表面に、少なくとも一層の金属層と半導体層とを大気に曝さずに連続して形成した後、熱処理して前記金属層と前記半導体とを反応させ金属と半導体との化合物を形成することを特徴とする。さらに、前記熱処理前に、イオン注入することを特徴とする。また、半導体と電極とのコンタクト部に、該半導体と金属との化合物が形成された半導体装置において、前記化合物と前記半導体との界面の深さを22nmより浅くした、または該化合物の厚さの半分以上が前記半導体表面より上方側に位置することを特徴とする。さらに、多層の金属配線構造を有する場合、上下の金属配線を接続するコンタクト部に薄いシリサイド層を有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体表面の少なくとも一部に、少なくとも一層の金属層と半導体層とを大気に曝さずに連続して形成した後、熱処理して前記金属層と前記半導体とを反応させ金属と半導体との化合物を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-007165
  
• 特開平2-001120
  
• 特開昭62-166512