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J-GLOBAL ID：200903030071218637
ホトマスクとその製造方法及び検査方法、並びに透明基板のドライエッチング方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993059183
Publication number (International publication number)：1994130651
Application date： Mar. 19, 1993
Publication date： May. 13, 1994
Summary：
【要約】【目的】 位相シフトマスクに関連した製造方法、検査方法に関し、ホトマスクの透過率の向上とエッチング精度の向上を図る。【構成】 透明基板1の少なくとも光透過部分の表面が多孔質化したドライエッチング面3からなるホトマスク。透明基板1の表面をプラズマ中においてドライエッチングして、多孔質化したドライエッチング面3とする。位相シフトマスク4のメインパターン5及びシフターパターン6の表面を何れも多孔質化したドライエッチング面3とする。透明基板1の背面に光ファイバ9を設け、光源10から透明基板1を透過して光ファイバ9に入射する透過光11の光量を測定し、透明基板1のエッチング量が所要の深さになった時にドライエッチングを停止する。300nm以下の波長の光13を用い、透過率を測定してパターン6の表面の深さの均一性を検査する。
Claim (excerpt)：
透明基板(1) の少なくとも光透過部分の表面が多孔質化したドライエッチング面(3) からなることを特徴とするホトマスク。
IPC (3)：
G03F 1/08
, G01N 21/88
, H01L 21/027
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 301 V
, H01L 21/30 311 W
