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J-GLOBAL ID：200903030089877492

窒化物系半導体素子およびその製造方法

Inventor： 今井 秀秋 ,  宮田 邦夫 ,  平井 匡彦
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社
Agent (1)： 谷 義一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992211793
Publication number (International publication number)：1993315647
Application date： Aug. 07, 1992
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 結晶性が良好な単結晶窒化物系半導体薄膜を有し、特に紫外〜橙色領域において良好な特性を有する窒化物系半導体素子を提供する。【構成】 基板上に配向性多結晶窒化物層を形成し、この上に所望の単結晶窒化物膜を形成することとし、基板面の少なくとも一方向の周期的な原子配列の原子間距離をその上に直接成長させる配向性多結晶窒化物層の格子面の原子間距離の整数倍に近づける。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板上に直接形成されている厚さが5000オングストローム以下の配向性多結晶窒化物系半導体からなる第1層と、該第1層の上に直接形成されている単結晶窒化物系半導体からなる動作層と、所定の部位に接続されている2個以上の電極とを有し、少なくとも1個の電極が前記第1層に接続されていることを特徴とする窒化物系半導体素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  C23C 8/00 ,  H01S 3/18