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J-GLOBAL ID：200903030106236226

強誘電メモリ・セルの製造方法

Inventor： スコット アール、サマーフェルト ,  セオドアー エス、モイズ ,  グオジアン シン ,  ルイジ コロンボ ,  トモユキ サコダ ,  スチーブン アール、ギルバート ,  アルビン ローク ,  ショーミン マー ,  ラヒム カバリ ,  ローラ ウィリス - ミルカリミ ,  ジュン アマノ
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000389018
Publication number (International publication number)：2001244426
Application date： Dec. 21, 2000
Publication date： Sep. 07, 2001
Summary：

【要約】【課題】 ある構造体上に位置する強誘電コンデンサの製造方法を提供する。【解決手段】 上記構造体(図1の124)上に一つの頂面と複数の側面とを持つ底部電極を形成するステップと;上記底部電極上に、強誘電材料からなり、一つの頂面と複数の側面とを持つコンデンサ誘電体(図1の126)を形成するステップと;上記コンデンサ誘電体の上に、上記底部電極と、上記コンデンサ誘電体と、上記頂部電極からなり、一つの頂面と複数の側面とを持つ頂部電極(図1の128および130)を形成するステップと;上記底部電極の上記側面上、上記コンデンサ誘電体の上記側面上および上記頂部電極の上記側面上にバリヤ層(図1の118および120)を形成するステップと;上記バリヤ層および上記構造体の上に、一つの頂面と一つの底面とを持つ誘電体の層を形成するステップと;ある時間中、アルゴン、窒素およびその組合せからなるグループから選択したガスからなる雰囲気内で400〜900°Cの温度で、上記バリヤ層の形成ステップの実行後に、加熱ステップを実行するステップとを含む方法。

Claim (excerpt)：

ある構造体上に位置する強誘電コンデンサの製造方法であって、前記構造体上に一つの頂面と複数の側面とを持つ底部電極を形成するステップと、前記底部電極上に、強誘電材料からなり、一つの頂面と複数の側面とを持つコンデンサ誘電体を形成するステップと、前記コンデンサ誘電体の上に、前記底部電極と、前記コンデンサ誘電体と、前記頂部電極からなり、一つの頂面と複数の側面とを持つ頂部電極を形成するステップと、前記底部電極の前記側面上、前記コンデンサ誘電体の前記側面上 および前記頂部電極の前記側面上にバリヤ層を形成するステップと、前記バリヤ層および前記構造体の上に、一つの頂面と一つの底面とを持つ誘電体の層を形成するステップと、ある時間中、アルゴン、窒素およびその組合せからなるグループから選択したガスからなる雰囲気内で、400〜900°Cの温度で、前記バリヤ層の形成ステップの実行後に、加熱ステップを実行するステップとを含む方法。

IPC (2)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/316

FI (2)：

H01L 21/316 X ,  H01L 27/10 444 B