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J-GLOBAL ID：200903030114170110

半導体装置

Inventor： 大川 重明 ,  大古田 敏幸 ,  大林 義昭 ,  安田 護 ,  佐伯 真一 ,  大澤 周治
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社 ,  ホシデン株式会社
Agent (1)： 須藤 克彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999282542
Publication number (International publication number)：2001112094
Application date： Oct. 04, 1999
Publication date： Apr. 20, 2001
Summary：

【要約】【課題】 コンデンサマイクを一体化するための半導体装置において、不要光が入射されることに起因する回路の誤動作を防止する。【解決手段】 半導体基板11の上に固定電極層12を形成し、その周辺の回路素子エリア50に各回路素子を形成する電極配線32によって集積回路網を構成する。回路素子の上方はシールドメタル17によって覆われる。パッシベーション膜35の上にはスペーサ20が複数箇所に配置される。回路素子エリア50と固定電極層エリア52との間の領域51に、ダミーアイランド18を形成する。ダミーアイランド18には電源電位VCCが印加され、P+分離領域23には接地電位GNDが印加される。

Claim (excerpt)：

回路素子を集積化した半導体基板の上に固定電極層を形成し、前記固定電極層周囲の半導体基板上に、前記固定電極層と対をなしてコンデンサを形成する振動膜を取り付けるためのスペーサを形成した半導体装置であって、前記固定電極層を囲む前記半導体基板にダミーアイランドを設け、前記ダミーアイランドに固定電位を印加する手段を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H04R 19/04 ,  H01L 27/20

FI (2)：

H04R 19/04 ,  H01L 27/20

F-Term (18)：

4M112AA01 ,  4M112BA07 ,  4M112CA11 ,  4M112CA12 ,  4M112CA13 ,  4M112DA07 ,  4M112DA09 ,  4M112DA15 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA11 ,  4M112EA14 ,  4M112FA08 ,  5D021CC03 ,  5D021CC06 ,  5D021CC08 ,  5D021CC12