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J-GLOBAL ID：200903030115577397

放射線センサ

Inventor： オールダーソン,アンドリュー ,  フレンド,リチャード ヘンリー ,  グラハム,スティーフン チャールズ
Applicant, Patent owner： ブリティッシュ ニュークリア フュエルス ピーエルシー
Agent (1)： 山本 亮一 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998508590
Publication number (International publication number)：2000516395
Application date： Jul. 22, 1997
Publication date： Dec. 05, 2000
Summary：

【要約】電界効果トランジスタ(1)から構成される放射線センサが開示される。該トランジスタ(1)は、基板(2)と該基板(2)上に配置されたドープゲート層(3)とから構成されている。ゲート層(3)上に絶縁層(4)が設けられており、絶縁層(4)上にインターディジタル構造に配置されたソース部(5)とドレイン部(6)とが設けられている。ソース部(5)とドレイン部(6)との間に、少なくとも一つの有機半導体素材を含む活性層(7)が配置されている。検出器に投射する電離放射線が検出器の電気的性質に変化を生じさせ、その電気的性質から検出器に投射する放射線の総量を表す示度が与えられる。

Claim (excerpt)：

所定の期間中にある物体の付近の少なくとも一つの位置に、それぞれ少なくとも一つの有機半導体素材を含む活性層を有する電界効果トランジスタを設ける段階と、前記の単数または複数のそれぞれの電界効果トランジスタの所定の電気的特性を測定する段階と、前記の電気的特性の測定値から該期間中に前記のそれぞれの位置で該物体を照射する電離放射線の総量を決定する段階とから構成されるとともに、前記の単数または複数のそれぞれの電界効果トランジスタの電気的特性が該有機半導体素材を照射する電離放射線の総量に依存していることを特徴とする、所定の期間にわたって前記物体を照射する電離放射線の総量を決定する方法。

IPC (4)：

H01L 27/14 ,  G01J 1/02 ,  G01T 1/24 ,  H01L 51/00

FI (4)：

H01L 27/14 K ,  G01J 1/02 B ,  G01T 1/24 ,  H01L 29/28