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J-GLOBAL ID：200903030116883998

マグネトロン反応性イオン処理装置

Inventor： 長谷川 功 宏 ,  吉 田 幸 正
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992243520
Publication number (International publication number)：1994097115
Application date： Sep. 11, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【構成】 磁石101〜103,111〜113の磁力を変え、第1、第2の電極4,5間に、被処理材表面近傍の電界をEとし、磁界をBとしたとき、B×Eの方向に磁界強度が弱まるように磁界分布を設定する。つまり、|B1 |>|B2 |>|B3 |という関係にすることとなる。【効果】 B×Eの方向は、つまり電子がサイクロイド運動によって移動する方向で、この方向に磁界強度が弱まるように磁界分布を設定するようにしたため、電子のドリフト運動の加速度を生じさせる力がそのドリフト運動方向に弱められることとなり、被処理材の端縁部への電子e- の集中を緩和することができ、プラズマ密度分布の均一性が高められる。

Claim (excerpt)：

被処理材が載置される第1の電極及び該第1の電極に対向設置される第2の電極からなる電極ユニットを備え内部が反応室とされている処理容器と、該処理容器内に反応性ガスを供給するガス供給手段と、該処理容器内のガスを排気して前記反応室を減圧する排気手段と、前記電極ユニットに高周波電力を供給する電力供給手段と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に磁界を生じさせるものであって、前記高周波電力により生じた前記被処理材表面近傍の電界をEとし、該磁界をBとしたとき、B×Eの方向に磁界強度が弱まるように磁界分布を設定する磁力供給手段と、を備えているマグネトロン反応性イオン処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/302 ,  C23C 14/35 ,  C23F 4/00 ,  C30B 25/06 ,  H05H 1/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-122523
  
• 特開平3-224227
  
• 特開昭63-277778