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J-GLOBAL ID：200903030117276351

金属配線およびその作製方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  西 毅 ,  佐竹 瑠茂 ,  小沼 利光
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995149514
Publication number (International publication number)：1996321622
Application date： May. 24, 1995
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：

【要約】【目的】 陽極酸化膜形成後、分断パターニングにより切断されたアルミニウム配線の分断面の保護及び、分断面保護用膜の形成を容易にする。【構成】 陽極酸化膜111と112形成後、分断パターニングにより切断されたアルミニウム配線の分断面の保護をするために分断面にアルミナ膜を形成する。この時に酸化剤、特にオゾンが溶解した水溶液を用いることで、分断面上への酸化膜形成及び基板の洗浄を同一工程により行うことが可能となり、TFT基板作製工程の簡略化が可能となる。

Claim (excerpt)：

金属配線の表面に陽極酸化工程において酸化膜を形成する工程と、前記金属配線を少なくとも一か所において分断する工程と、該工程によって露呈した前記金属配線の表面に酸化剤を含む溶液を用いて酸化膜を形成する工程と、を有することを特徴とする金属配線の作製方法。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/3205

FI (3)：

H01L 29/78 612 C ,  H01L 21/88 E ,  H01L 21/88 B