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J-GLOBAL ID：200903030126356708

マイクロ波プラズマ付着源

Inventor： マスュー・エム・ベセン ,  ロレンス・ブールジェ ,  ウィリアム・エム・ホルバー ,  ドナルド・ケイ・スミス ,  リチャード・エス・ポスト
Applicant, Patent owner： アプライド・サイエンス・アンド・テクノロジー・インコーポレイテッド
Agent (1)： 倉内 基弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995063500
Publication number (International publication number)：1995268622
Application date： Feb. 28, 1995
Publication date： Oct. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 広面積にわたりそして種々の付着条件のもとで高い付着速度で種々の物質の高品質の膜を付着するためのシステムを提供することである。【構成】 マイクロ波エネルギでプラズマに賦活される物質を包含するための真空容器と、実質的に妨害されないマイクロ波放射の通過のためプラズマから遮へいされた誘電体窓部材を有する、前記容器内で終了する同軸マイクロ波供給路と、前記同軸供給路の端部の前記容器内のターゲットと、ターゲット物質を受容するため、容器内でターゲットから離間されたサブストレートと、ターゲットとサブストレートとの間に形成される、密集し拡張されたプラズマ空間に磁界を印加し、ターゲットからスパッタされそして拡張プラズマ空間を横断する物質をイオン化する確率を高める第1の磁石とを具備するマイクロ波プラズマ付着源。

Claim (excerpt)：

マイクロ波エネルギでプラズマに賦活される物質を包含するための真空容器と、実質的に妨害されないマイクロ波放射の通過のためプラズマから遮へいされた誘電体窓部材を有する前記容器内で終了する同軸マイクロ波供給路と、前記同軸供給路の端部の前記容器内のターゲットと、ターゲット物質を受容するため、容器内でターゲットから離間されたサブストレートと、ターゲットとサブストレートとの間に形成される、密集し拡張されたプラズマ空間に磁界を印加し、ターゲットからスパッタされそして拡張プラズマ空間を横断する物質をイオン化する確率を高める第1の磁石とを具備するマイクロ波プラズマ付着源。

IPC (4)：

C23C 14/35 ,  C23C 14/06 ZAA ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• マイクロ波マグネトロンスパッタ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-076455   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開昭62-050462
  
• 特開平3-253561
  
• 特開昭61-243171