ドープしたSOGを使用するバイポーラエミッタ形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西山善章
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993280278
Publication number (International publication number)：1994204413
Application date： Oct. 14, 1993
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】埋め込みの代わりに拡散によってドープしたSOGを使用し、ホウ素、イオウのほかいろいろのドーパントを用いて深度の浅い低抵抗バイポーラエミッタを形成する方法を与える。【構成】ドープしたSOG層を予定のベース領域の上方にスピン掛けする。 SOG層は部分的に除去するように確定し、除去し、コレクタおよびエミッタのコンタクト領域を露出させる。 SOG層は高密度化され、ドーパントがベース中に追い出され、エミッタを形成する。

Claim (excerpt)：

コレクタと、該コレクタに隣接したベースと、該ベースに隣接した拡散エミッタ領域とを含む半導体デバイス。

IPC (3)：

H01L 27/06 , H01L 21/331 , H01L 29/73

FI (2)：

H01L 27/06 321 B , H01L 29/72

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (35)

特開昭64-077168
特開昭64-077168
特開昭51-001083

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