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J-GLOBAL ID：200903030126751585

ドープしたSOGを使用するバイポーラエミッタ形成方法

Inventor： デリル ドゥエイン ジョン オールマン ,  ゲイル ウィルバーン ミラー
Applicant, Patent owner： エヌ・シ-・ア-ル・インタ-ナショナル・インコ-ポレイテッド
Agent (1)： 西山 善章
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993280278
Publication number (International publication number)：1994204413
Application date： Oct. 14, 1993
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】埋め込みの代わりに拡散によってドープしたSOGを使用し、ホウ素、イオウのほかいろいろのドーパントを用いて深度の浅い低抵抗バイポーラエミッタを形成する方法を与える。【構成】ドープしたSOG層を予定のベース領域の上方にスピン掛けする。 SOG層は部分的に除去するように確定し、除去し、コレクタおよびエミッタのコンタクト領域を露出させる。 SOG層は高密度化され、ドーパントがベース中に追い出され、エミッタを形成する。

Claim (excerpt)：

コレクタと、該コレクタに隣接したベースと、該ベースに隣接した拡散エミッタ領域とを含む半導体デバイス。

IPC (3)：

H01L 27/06 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (2)：

H01L 27/06 321 B ,  H01L 29/72

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 特開昭64-077168
  
• 特開昭51-001083
  
• 特開平1-157565
  
• 特開平2-268421
  
• 特開平2-135737
  
• 特開昭53-143162
  
• 特開昭46-001613
  
• 特開昭63-141369
  
• 特開昭64-021918