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J-GLOBAL ID：200903030128350383

半導体装置

Inventor： 金沢 賢一
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992054970
Publication number (International publication number)：1993259289
Application date： Mar. 13, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、MOSトランジスタを有する半導体装置に関し、電源電圧の変化にも対応でき、設計・プロセスの作業を軽減することを目的とする。【構成】入力端子又は出力端子に、印加電圧が異なるワイヤボンディングパッド2,3,5,6,7,8 が複数並列に接続され、前記入力端子側の前記ワイヤボンディングパッド2,3,5 の各々の少なくとも一部と内部回路1との間には降圧能力の異なる降圧回路9,10が形成されるとともに、前記出力端子側の前記ワイヤボンディングパッド6,7,8 の各々の少なくとも一部と内部回路1との間には昇圧能力の異なる昇圧回路11,12 が設けられていることを含み構成する。

Claim (excerpt)：

入力端子又は出力端子に、印加電圧が異なるワイヤボンディングパッド(2,3,5,6,7,8)が複数並列に接続され、前記入力端子側の前記ワイヤボンディングパッド(2,3,5) の各々の少なくとも一部と内部回路(1)との間には降圧能力の異なる降圧回路(9,10)が形成されるとともに、前記出力端子側の前記ワイヤボンディングパッド(6,7,8) の各々の少なくとも一部と内部回路(1)との間には昇圧能力の異なる昇圧回路(11,12)が設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/82 ,  G11C 11/407 ,  G11C 11/401 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108 ,  H02M 3/07

FI (4)：

H01L 21/82 P ,  G11C 11/34 354 F ,  G11C 11/34 371 K ,  H01L 27/10 325 V