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J-GLOBAL ID:200903030129520878

フッ素含有材料及び処理

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 竹内 澄夫 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001131535
Publication number (International publication number):2002009071
Application date: Apr. 27, 2001
Publication date: Jan. 11, 2002
Summary:
【要約】【課題】マイクロエレクトロニクス製造での使用に対しより適したより良い性質を有する低-k膜のようなフッ素化材料及びそのような膜を製造するためのプロセスを与える。【解決手段】炭素原子及びフッ素原子を含む化学前駆体は、フッ素含有材料を付着させるためにさまざまな条件のもとで活性化される。化学式(F3C)4-m-nMXmRnの化学前駆体が好適であり、ここでMはSi若しくはGeであり、Xはハロゲンであり、RはH若しくはDであり、mは0、1、2若しくは3であり、nは0、1、2若しくは3であり、条件(m+n)≦3を有する。
Claim (excerpt):
材料を表面上に付着するためのプロセスであって、基板を与える工程と、化学式(F3C)4-m-nMXmRnの化学前駆体を与える工程であって、ここでMはSi若しくはGeであり、Xはハロゲンであり、RはH若しくはDであり、mは0、1、2若しくは3であり、nは0、1、2若しくは3であり、条件(m+n)≦3を有するところの工程と、前記化学前駆体を活性化する工程であって、それによってフッ素含有材料を前記基板上に付着させる工程と、から成るプロセス。
IPC (4):
H01L 21/316 ,  C23C 16/30 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/768
FI (4):
H01L 21/316 X ,  C23C 16/30 ,  H01L 21/314 A ,  H01L 21/90 K
F-Term (28):
4K030AA01 ,  4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030BA35 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  5F033RR11 ,  5F033RR23 ,  5F033SS02 ,  5F033SS03 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033XX24 ,  5F058BA20 ,  5F058BB10 ,  5F058BC20 ,  5F058BF02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF22 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ02

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