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J-GLOBAL ID：200903030131407450
イオン注入方法および装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高橋 詔男 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997088434
Publication number (International publication number)：1998283974
Application date： Apr. 07, 1997
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：
【要約】【課題】 従来のイオン注入方法であると、スリットの変形等の要因を補償することができなかった。【解決手段】 スリット3を有するディスク2と、イオンビーム発生源と、ディスク2を2次元的に走査させる走査機構(モータ6、ステッピングモータ8、等)と、を具備するイオン注入装置を使用して、ウェハ1に対してイオン注入を行うための方法であって、スリット3の長手方向の各位置においてイオンビーム量の計測を行うことにより、スリット3の長手方向位置とその位置でのイオンビーム量とからなるデータのセットを作成し、このデータセットに基づいてイオンビームの照射量を調整する。
Claim (excerpt)：
基板を支持するための基板支持面と該基板支持面上の少なくとも一部に厚さ方向に貫通して形成されたスリットとを有する基板支持台と、該基板支持台に向けてイオンビームを照射するためのイオンビーム発生源と、前記基板支持台および前記イオンビームの少なくとも一方を前記基板支持面に沿って平行に2次元的に走査させる走査機構と、を具備するイオン注入装置を使用して、前記基板に対してイオン注入を行うための方法であって、前記スリットの長手方向の各位置において、照射されるイオンビーム量の計測を行うことにより、前記スリットの長手方向位置とその位置でのイオンビーム量とからなるデータのセットを作成し、該データセットに基づいて、イオンビームの照射量を調整する、ことを特徴とするイオン注入方法。
IPC (2)：
H01J 37/317
, H01L 21/265
H01J 37/317 C
, H01L 21/265 T
